CN119789427A 半导体装置以及制造半导体装置的方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789427A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202410163949.7

(22)申请日2024.02.05

(30)优先权数据

10-2023-01316242023.10.04KR

(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人李南宰

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

公司11127

专利代理师原宏宇

(51)Int.Cl.

H10B41/50(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

H10B43/50(2023.01)

H10B43/27(2023.01)

权利要求书3页说明书8页附图18页

(54)发明名称

半导体装置以及制造半导体装置的方法

(57)摘要

CN119789427A本公开涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替堆叠的栅极线和绝缘层；沟道结构，其延伸穿过栅极结构并且包括沟道层和连接到沟道层的沟道焊盘；虚设栅极结构，其包括堆叠的虚设栅极线；虚设沟道结构，其延伸穿过虚设栅极结构并且包括虚设沟道层和连接到虚设沟道层的虚设沟道焊盘；隔离绝缘层，其设置在栅极结构和虚设栅极结构之间；以及虚设焊盘，其在栅极结构和虚设栅极结构之间设置