CN119764159A 一种基于Si掺杂SnO2薄膜的光电材料及其器件应用方法 (电子科技大学长三角研究院(衢州)).pdfVIP

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  • 2026-06-29 发布于重庆
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CN119764159A 一种基于Si掺杂SnO2薄膜的光电材料及其器件应用方法 (电子科技大学长三角研究院(衢州)).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764159A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411854169.3C23C16/56(2006.01)

(22)申请日2024.12.16

(71)申请人电子科技大学长三角研究院(衢州)

地址324003浙江省衢州市柯城区成电路1

(72)发明人李霞

(74)专利代理机构成都正煜知识产权代理事务

所(普通合伙)51312

专利代理师李龙

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H10F77/12(2025.01)

H10F10/16(2025.01)

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