2021年长鑫存储校招笔试90分必刷试题及答案.docVIP

2021年长鑫存储校招笔试90分必刷试题及答案

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.在半导体存储器中，DRAM和SRAM的主要区别是（）。

A.DRAM需要刷新，SRAM不需要

B.SRAM需要刷新，DRAM不需要

C.DRAM比SRAM速度快

D.SRAM比DRAM集成度高

2.以下哪种存储器属于非易失性存储器？（）

A.DRAM

B.SRAM

C.Flash

D.Cache

3.在半导体制造工艺中，光刻技术的主要作用是（）。

A.沉积薄膜

B.刻蚀图形

C.离子注入

D.氧化硅层

4.以下哪种工艺可以提高芯片的集成度？（）

A.增大特征尺寸

B.减小特征尺寸

C.增加芯片面积

D.降低工艺复杂度

5.在存储器测试中，March算法主要用于检测（）。

A.静态故障

B.动态故障

C.逻辑故障

D.物理故障

6.以下哪种存储器单元结构常用于DRAM？（）

A.6T-SRAM

B.1T1C

C.3T-NOR

D.4T-SRAM

7.在半