CN119800357A 金属除去方法、干蚀刻方法和半导体元件的制造方法 （株式会社力森诺科）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119800357A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411921213.8

(22)申请日2020.04.17

(30)优先权数据

2019-0924012019.05.15JP

(62)分案原申请数据

202080031010.52020.04.17

(71)申请人株式会社力森诺科地址日本

(72)发明人松井一真

(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247

专利代理师张志明段承恩

(51)Int.Cl.

C23F1/12(2006.01)

H01L21/3213(2006.01)

权利要求书1页说明书11页附图1页

(54)发明名称

金属除去方法、干蚀刻方法和半导体元件的

制造方法

(57)摘要

CN119800357A提供能够以低成本实施的金属除去方法。金属除去方法具备反应工序和挥发工序，反应工序使含有含氟的卤间化合物的处理气体与含有金属元素的含金属材料接触，生成含氟的卤间化合物与金属元素的反应生成物即金属氟化物，挥发工序在惰性气体气氛下或真空环境下加热金属氟化物从而使其挥发。金属元素是选自铁、钴、镍、硒、钼、铑、钯、钨、铼、铱和铂中的至少

CN119800357A

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