CN119800507A 碳化硅晶体以及用于生产其的方法 （Ii-Vi特拉华有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119800507A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411915070.X

(22)申请日2021.03.01

(30)优先权数据

62/984,1772020.03.02US17/029,7462020.09.23US

(62)分案原申请数据

202110237647.62021.03.01

(71)申请人II-VI特拉华有限公司地址美国

(72)发明人伊利亚·茨维巴克

瓦拉他拉扬·伦加拉扬安德鲁·N·苏齐兹

加里·E·鲁兰

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师蔡胜有吴娟

(51)Int.Cl.

C30B29/36(2006.01)

C30B23/00(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图4页

(54)发明名称

碳化硅晶体以及用于生产其的方法

(57)摘要

CN119800507A本公开内容一般地涉及可以用于光学应用中的碳化硅晶体，以及涉及用于生产其的方法。在一种形式中，组合物包含铝掺杂的碳化硅晶体，所述铝掺杂的碳化硅晶体具有残留的氮和硼杂质。碳化硅晶体中的铝的浓度大于碳化硅晶体中的氮和硼的组合浓度，并且碳化硅晶体在约400nm至约800nm的范围内的波长下的光