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光刻工艺上岗试题和答案

一、单项选择题（本大题共25小题，每小题1分，共25分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.在光刻工艺中，光刻胶的主要作用是（）。

A.保护晶圆表面免受污染

B.作为刻蚀或离子注入的掩膜

C.提高晶圆的导电性

D.增加晶圆表面的平整度

2.按照光刻胶的极性分类，曝光后对显影液溶解度增大的光刻胶称为（）。

A.负性光刻胶

B.正性光刻胶

C.化学放大光刻胶

D.非化学放大光刻胶

3.目前主流的深紫外（DUV）光刻机使用的光源波长通常为（）。

A.436nm(g-line)

B.365nm(i-line)

C.248nm(KrF)

D.193nm(ArF)或248nm(KrF)

4.瑞利判据公式R=中，N

A.数值孔径

B.曝光能量

C.焦深

D.工艺因子

5.在浸没式光刻技术中，透镜与晶圆之间填充的液体通常是（）。

A.去离子水

B.异丙醇

C.光刻胶

D.氟化液

6.软烘的主要目的不包括（）。

A.除去光刻胶中的溶剂

B.增强光刻胶与晶圆的附着力

C.提高光刻胶在显影液中的溶解速度

D.减少驻波效应

7.化学放大胶（CAR）通常用于（）。

A.g-line和i-line光刻

B.KrF和ArF光刻

C.X射线光刻

D.