精简化的FinFET方案提出过程教程文件.pptx

摩尔定律

节点技术

MOSFET在做小时面临的主要问题

短沟道效应之——DIBL（漏致势垒降低）

如何解决问题？

从减小漏极影响出发——沟道掺杂以及应变硅技术

但载流子迁移率下降，严重影响性能！

沟道掺杂降低了PN结深度，从而减小漏源极对沟道的影响。

从减小漏极影响出发——沟道掺杂以及应变硅技术

掺杂使得载流子迁移率下降？

采用应变硅技术提高载流子迁移率！

从减小漏极影响出发——SOI方案

去除栅极无法控制的区域，减小源漏极影响区。——绝缘体上硅方案

从增强栅极影响力出发——HK-GM技术

增大栅极电容，加强对沟道控制。同时避免量子隧穿。——Hk介电层。

从增强栅极影响力出发的综合方案——FinFET

将通道维度往Z轴上拉，栅极三面包围通道，强化控制！

——FinFET，鳍式场效应管

谢谢大家！

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