TSV-Less扇出型晶圆级封装:高密度集成关键工艺的探索与突破.docx

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TSV-Less扇出型晶圆级封装:高密度集成关键工艺的探索与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体行业持续快速发展的进程中,芯片的性能与集成度不断攀升,对封装技术提出了更为严苛的要求。传统的封装技术在面对日益增长的高性能、小型化以及低成本需求时,逐渐显露出诸多局限性,难以满足现代电子产品的多样化需求。在此背景下,先进封装技术应运而生,成为推动半导体行业持续进步的关键力量。

TSV-Less扇出型晶圆级封装作为先进封装技术的重要分支,近年来受到了学术界与产业界的广泛关注。相较于传统的硅通孔(TSV)技术,TSV-Less技术具有显著的优势。它摒弃了复杂的硅通孔制造工艺,从而大幅降低

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