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- 2026-06-30 发布于北京
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作为第三代半导体材料,碳化硅优势显著
第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石。碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件制造(设计、制造、封测)三大环节。根据电学性能的不同,碳化硅衬底分为半绝缘型和导电型。碳化硅具备诸多优势:耐高压,耐高温,实现高频的性能。
伴随价格下挫,应用空间持续打开
过往数年,供需恶化引致碳化硅衬底价格出现大幅降低。伴随价格的大幅下挫,碳化硅市场规模快速增长,多个领域碳化硅功率半导体器件销售收入大幅上涨,其在xEv市场和光伏储能市场的复合年增长率分别高达65.10%及39.00%。成本下降将推动碳化硅在新兴行业及传统领域应用大幅扩张。据Yole和弗若斯特沙利文的预测,2024-2030年,全球碳化硅功率半导体器件将在新兴行业达到39.2%的复合年增长率。在原有传统领域,复合年增长率也将持续保持高位。据弗若斯特沙利文的预测,到2030年,碳化硅功率半导体器件在各行业的市场渗透率也将有大幅上涨。
AI大时代,重视碳化硅的重要价值
AI时代,碳化硅将大有可为。碳化硅天然适配AI时代的数据中心供电系统。碳化硅在先进封装领域也具备应用潜力。使用碳化硅MOSFET替代硅基MOSFET,可以提高开关频率,降低反向恢复损耗,有效减少元件数量,增加电源
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