勾形磁场调控下硅单晶CZ生长过程的多物理场耦合数值解析.docx

勾形磁场调控下硅单晶CZ生长过程的多物理场耦合数值解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体产业中，硅单晶作为关键的基础材料，占据着举足轻重的地位。超过90%的集成电路芯片以硅单晶为基底进行制造，其质量和性能直接决定了芯片的性能、可靠性及集成度。随着信息技术的飞速发展，对半导体器件的性能要求不断提高，这也促使对硅单晶材料的品质提出了更为严苛的标准，如追求无缺陷、低杂质以及大尺寸等特性。

直拉法（Czochralski，简称CZ法）是当前制备半导体硅单晶的主要方法。该方法通过将多晶硅料加热熔化，在特定的温度场和流场条件下，利用籽晶的旋转与提拉，使硅熔体在籽晶上逐渐结晶生长，