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2026年半导体物理专业基础试卷真题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

中已知的介电常数五论述题分简述扩散电流的产生机制并解释它与漂移电流的区别试卷答案一选择题二填空题电阻率低易于导电具有热电效应五价元素如磷受主能级玻尔兹曼量子力学禁带宽度变窄外加正向电压使区电势高于区内建电势降低耗尽层内电场减弱漂移空穴三简答

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.晶体硅的禁带宽度约为1.12eV，这是由于（）。

A.内禀缺陷导致能带展宽

B.周期性势场对电子能级的影响

C.核心电子的束缚能远大于电子间库仑相互作用

D.硅原子最外层只有3个价电子

2.在N型半导体中，占主导地位的载流子是（）。

A.空穴

半导体内部存在电场载流子在电场力的作用下作定向运动而形成的电流漂移电流的方向与电场方向相同对于电子是正电荷运动方向对于空穴是负电荷或等效正电荷运动方向扩散电流和漂移电流是半导体中电流的两个基本组成部分它们的产生机制方向和大小都与电场