CN119812162A 一种硅通孔测试结构，测试方法及其制备方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119812162A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202311306045.7

(22)申请日2023.10.10

(71)申请人盛合晶微半导体（江阴）有限公司

地址214437江苏省无锡市江阴市长山大

道78号（经营场所：江阴市东盛西路9

号）

(72)发明人卢春山周祖源

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师李仪萍

(51)Int.Cl.

H01L23/544(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

G01R31/52(2020.01)

权利要求书2页说明书8页附图6页

(54)发明名称

一种硅通孔测试结构，测试方法及其制备方

法

(57)摘要

CN119812162A本发明提供一种硅通孔测试结构，测试方法及其制备方法，通过在测试焊盘周侧形成旋转楼梯状分布且深度沿周向逐渐增大的测试区域，通过在测试焊盘与测试区域之间设置探针，使得测试时实现对漏电区域的便捷测试，且由于测试区域具有不同的深度，从而可以对TSV结构不同深度的区域的漏电流数值进行采样并与预设的参考漏电流值进行对比分析，从而实现对TSV结构发生漏电流的深度和位置的准确定位，还