CN119812286A 硅碳材料及其制备方法、多孔碳基底、负极材料和电池 （万向一二三股份公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119812286A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510230976.6

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人万向一二三股份公司

地址310000浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设二路855号

(72)发明人张小祝叶克份陈伟朱丹凤郝莉

(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限

公司33289

专利代理师金方玮

(51)Int.Cl.

H01M4/36(2006.01)

H01M4/38(2006.01)

H01M4/583(2010.01)

H01M4/62(2006.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

硅碳材料及其制备方法、多孔碳基底、负极

材料和电池

(57)摘要

CN119812286A本发明提供硅碳材料及其制备方法、多孔碳基底、负极材料和电池，涉及电池材料技术领域。本申请提供的核心点在于硅碳材料中的多孔碳基底的可控合成，将酚类单体、醛类单体在催化剂及分散剂的存在下进行聚合，同时在溶液中加入掺杂剂及预碳化的生物质碳前驱体，聚合形成的酚醛树脂为球形结构，且在合成过程中完成了元素的均相掺杂，加入的生物质碳前驱体为块状结