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集成电路工艺分析期末考试试题及详细答案

适用专业：微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统

考试时长：120分钟

满分：100分

考试说明：闭卷考试，无额外参考资料，重点考察半导体基础工艺、薄膜制备、光刻刻蚀、掺杂技术、CMOS工艺流程及工艺缺陷分析

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.硅片抛光工艺中，主流的平坦化技术是（）

A.机械抛光B.化学机械抛光（CMP）C.干法抛光D.湿法腐蚀抛光

2.集成电路制造中，用于实现浅槽隔离（STI）的核心目的是（）

A.降低衬底电阻B.防止器件间串扰、实现电气隔离C.提升载流子迁移率D.增强栅氧绝缘性

3.离子注入工艺相较于热扩散掺杂，最核心的优势是（）

A.掺杂温度更低B.掺杂浓度和结深精准可控C.工艺成本更低D.无晶格损伤

4.深紫外光刻（DUV）常用的248nm、193nm光源对应的光刻胶类型为（）

A.紫外正性胶B.深紫外专用化学放大胶C.电子束光刻胶D.红外光刻胶

5.CMOS工艺中，栅氧化层生长的主流工艺是（）

A.低温湿法氧化B.高温干法氧化C.等离子体氧化D.溅射氧化

6.下列哪种缺陷属于集成电路工艺中的致命平面缺陷（）

A.空位缺陷B.位错C.划痕、针孔D.间隙原