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集成器件物理基础期末考试试题（含详细答案）

适用专业：微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统

考试时长：120分钟

满分：100分

考试说明：闭卷考试，禁止携带电子设备，公式可手写记忆，无额外资料

一、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体硅晶体的晶格结构为________，其原子配位数为________。

2.本征半导体的载流子浓度仅与________和________相关，与杂质浓度无关。

3.PN结正向偏置时，耗尽层宽度________，反向偏置时，耗尽层宽度________。

4.MOSFET器件的核心栅控原理是通过栅电压改变________表面的载流子浓度，实现沟道的开启与关断。

5.双极型晶体管（BJT）工作在放大区的核心条件是：发射结________、集电结________。

6.半导体中载流子的主要输运机制为漂移运动和________运动。

二、选择题（每题3分，共15分，单选）

1.以下关于杂质半导体的说法，正确的是（）

A.N型半导体中只有自由电子一种载流子

B.P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子

C.掺杂浓度越高，半导体禁带宽度越大

D.本征激发只在高温下发生

2.PN结反向击穿的齐纳击穿主要发生在（）

A.高掺杂窄耗尽层PN结B.低掺杂宽耗尽层PN结

C.所有PN结均会发生D.低温轻掺杂PN结