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集成电路原理与设计期末考试题

集成电路原理与设计期末考试题

考试时间：120分钟满分：100分

一、选择题（每题3分，共30分）

1. 下列哪种MOSFET的阈值电压通常为负值？（）

A.N沟道增强型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.P沟道耗尽型

2. 集成电路中最常用的掺杂工艺是（）

A.离子注入B.热扩散C.溅射D.化学气相沉积

3. CMOS反相器的静态功耗主要来源于（）

A.导通功耗B.开关功耗C.亚阈值漏电流D.寄生电容充放电

4. 下列哪种电路结构不属于时序逻辑电路？（）

A.触发器B.寄存器C.编码器D.计数器

5. 集成电路版图设计中，“天线效应”主要危害是（）

A.增加电路延迟B.导致器件击穿C.增大寄生电容D.降低电源效率

6. 对于NMOS管，当栅源电压VGS满足（）时，管子工作在饱和区（假设VDS足够大）

A.VGSthnB.0VGSthnC.VGSVthn且VDS≥VGS-VthnD.VGSVthn且VDS-Vthn

7. 集成电路制造中，用于形成精确图形转移的关键工艺是（）

A.光刻B.蚀刻C.薄膜沉积D.金属化