CN119815899A 制作半导体元件的方法 （联芯集成电路制造(厦门)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815899A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202311299003.5

(22)申请日2023.10.09

(71)申请人联芯集成电路制造（厦门）有限公司

地址361101福建省厦门市翔安区万家春

路899号

(72)发明人袁林山杨光张良锋欧阳锦坚黄清俊谈文毅

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师王锐

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

制作半导体元件的方法

(57)摘要

CN119815899A本发明公开一种制作半导体元件的方法，包含以下步骤。形成一栅极结构于一基底上。注入一含氟掺质至基底中，以于栅极结构的二侧形成二轻掺杂漏极区。进行一热处理制作工艺，其中含氟掺质中一部分的氟原子扩散至基底的表面上。

CN119815899A

CN119815899A权利要求书1/1页

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1.一种制作半导体元件的方法，包含：

形成栅极结构于基底上；

注入含氟掺质至该基底中，以于该栅极结构的二侧形成二轻掺杂漏极区；

进行热处理