CN119815835A 磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815835A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202311298899.5

(22)申请日2023.10.09

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人林大钧蔡馥郁蔡滨祥

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师王锐

(51)Int.Cl.

H10B61/00(2023.01)

H10N50/10(2023.01)

H10N50/01(2023.01)

H10N50/80(2023.01)

权利要求书2页说明书7页附图10页

(54)发明名称

磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法

(57)摘要

CN119815835A本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包含一第一存储器单元和一第二存储器单元，一导电线设置在第一存储器单元和第二存储器单元之间，一SOT金属导电线接触并且电连接第一存储器单元的末端、导电线的末端和第二存储器单元的末端，一第一开关元件电连接SOT金属导电线的末端，一第二开关元件电连接SOT金属导电线的一另一末端，一第三开关元件电连接第一存储器单元的另一末端，一第四开关元件电连接导电线的另一末端以及一第五开关元件电

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