水热法构筑硅衬底氧化锌微纳米中空结构膜：制备、特性与应用探索.docx

水热法构筑硅衬底氧化锌微纳米中空结构膜：制备、特性与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，氧化锌（ZnO）薄膜凭借其独特的物理化学性质，占据着举足轻重的地位。氧化锌是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV，这使得它在光电器件、传感器、催化等诸多领域展现出巨大的应用潜力。在光电器件方面，基于氧化锌的紫外发光二极管（UV-LED）可用于杀菌消毒、生物医疗等领域，其高激子结合能保证了室温下高效的激子发光；在传感器领域，氧化锌对多种气体具有高灵敏度和快速响应特性，可用于检测环境中的有害气体，如甲醛、一氧化碳等。

硅衬底作为半导