CN119820860A 基于负泊松比材料的自我生长的人工根系4d增材制造方法 （北京林业大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119820860A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510312546.9

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人北京林业大学

地址100083北京市海淀区清华东路35号

(72)发明人黄建坤沈适林镇艺冀晓东张之伟吕立群

(74)专利代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司11237

专利代理师彭臻臻张仲波

(51)Int.Cl.

B29C64/386(2017.01)

B33Y50/00(2015.01)

权利要求书2页说明书8页附图7页

(54)发明名称

基于负泊松比材料的自我生长的人工根系

4D增材制造方法

(57)摘要

CN119820860A本发明提供一种基于负泊松比材料的自我生长的人工根系4D增材制造方法，涉及超材料生物结构构建和制造技术领域。所述人工根系是由重复单胞结构构建而成，所述方法包括以下步骤：（1）参数化设计芯体单胞结构，由此构建三维负泊松比芯体结构；（2）参数化设计表皮单胞结构，由此构建三维负泊松比管状结构；（3）将所述芯体结构和所述管状结构组合成整体结构，3D打印所述整体结构形成单个根；（4）通过调整设计参数，打印多个根系并组装为复杂三维根系，模拟单根和复杂根系的生长。