硅图形衬底上半极性GaN的MOCVD生长机制与特性解析.docx

硅图形衬底上半极性GaN的MOCVD生长机制与特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

GaN作为一种重要的宽禁带半导体材料，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。其具有宽直接带隙、高稳定性、高热导率、高硬度以及化学稳定性好等优良性质，在显示指示、固态照明、太阳能电池、固体激光器、紫外探测器以及各种微电子器件等方面都有着广泛应用。例如，在照明领域，GaN基发光二极管（LED）凭借其高效、节能、长寿命等优势，正逐步取代传统照明光源，成为照明市场的主流产品。在光通信领域，基于GaN