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超纯水系统RO/EDI单元污染诊断与化学清洗作业指导书

前言

反渗透（RO）、连续电除盐（EDI）是半导体超纯水（UPW）制备系统的核心脱盐单元，直接决定终端超纯水电阻率、TOC、离子杂质等核心水质指标，是先进制程晶圆厂水质稳态管控的核心设备。半导体超纯水系统长期连续运行过程中，原水携带的胶体、泥沙、微生物、硬度盐类、金属氧化物、有机污染物会持续在RO膜表面、EDI膜堆隔板及树脂间隙富集，引发膜元件污堵、膜堆结垢、脱盐效率衰减、压差升高等问题。

相较于普通工业纯水系统，半导体级RO/EDI单元污染具备杂质富集隐蔽、微量污染不可逆、清洗残留敏感性高、轻微衰减即影响制程良率的特点。轻微污染会导致超纯水基底杂质升高、TOC波动；重度污染会引发产水水质不达标、系统能耗激增、组件寿命大幅缩短，直接造成后端抛光树脂、终端滤芯提前失效，进而诱发CMP抛光、晶圆清洗等工序颗粒、金属沾污不良。

本指导书严格对标SEMIF63-24、SEMIF61-0521、GB/T19249等国内外权威标准，结合12英寸先进晶圆厂超纯水系统运维实操经验，统一RO/EDI单元污染判定标准、精准诊断方法、分级化学清洗工艺、标准化作业流程、安全管控与验收规范，可直接作为产线运维SOP、设备保养手册、审厂合规文件及新人培训教材，适配28nm～1nm全制程半导体超纯水系统运维需求。

0总则

0.1编制目的

规