CN119824548A 一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及其掺杂控制方法 （北京麦竹吉科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119824548A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510333431.8

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人北京麦竹吉科技有限公司

地址100085北京市海淀区上地信息路1号

1号楼21层2102-1

(72)发明人陶莹

(74)专利代理机构北京京智汇一专利代理事务所(普通合伙)16374

专利代理师夏晶

(51)Int.Cl.

C30B31/02(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

C30B33/02(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图1页

(54)发明名称

一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及

其掺杂控制方法

(57)摘要

CN119824548A本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及其掺杂控制方法。本发明碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法包括以下步骤：硅藻模板预处理，硅藻模板表面改性，金属离子前驱体溶液配置，浸渍掺杂反应，高温煅烧晶化，碳化硅晶体生长用掺杂剂形成；采用硅藻作为模板，改性后的硅藻模板通过静电吸附精准定位带正电的金属离子，使其均匀分布于纳米级孔隙壁；同时，SDBS分子增加了硅藻模板表面活性位点，促进硅藻模板与金属离子之间的化学结合，且在硅