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半导体CMP抛光工序超纯水使用与污染防控规范

前言

化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制造核心平坦化工序，通过化学腐蚀与机械研磨协同作用，实现硅片、介质层、金属布线层的全局平坦化，是7nm～1nmFinFET、GAA先进制程良率保障的关键工艺环节。CMP全流程高度依赖超纯水（UPW），涵盖抛光润滑、浆料稀释、在线冲洗、晶圆后清洗、设备腔体清洁、管路置换等全场景，超纯水水质稳定性与洁净度直接决定晶圆表面颗粒残留、金属沾污、划痕缺陷、水斑不良等关键良率指标。

相较于刻蚀、薄膜等其他工艺，CMP工序具备浆料颗粒浓度高、金属杂质复杂、有机助剂富集、固液交互频繁、二次污染风险极高的独有特征。常规超纯水使用管控模式无法适配CMP严苛工况，水质轻微波动极易引发批量晶圆缺陷：ppb级TOC超标会导致浆料团聚、晶圆水斑残留；ppt级金属离子会造成布线层腐蚀、器件电学漏电；纳米颗粒残留会引发微观划痕与局部平坦化异常，是先进制程CMP良率波动的核心隐性诱因。

本规范严格对标SEMIF63-24、SEMIF57-2023、SEMIF64-2024、SEMIF104-2022国际标准，结合12英寸先进晶圆厂CMP量产实操经验，系统界定CMP工序超纯水分级使用标准、各工序用水适配规则、设备用水规范、全域污染防控体系、日常运维稽核与异常闭环处置机制。文档贴合量产落地需求，可直接作为产线SOP作业