CN119660672A 一种高真空mems器件封装工艺 （成都市汉桐集成技术股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119660672A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202411830244.2

(22)申请日2024.12.12

(71)申请人成都市汉桐集成技术股份有限公司

地址610041四川省成都市高新区科园南

路88号天府生命科技园A1栋902、905

(72)发明人罗辑

(74)专利代理机构成都海成知识产权代理事务

所(普通合伙)51357

专利代理师晏中成

(51)Int.Cl.

B81C1/00(2006.01)

B81B7/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)