基于第一性原理的AlN与TiO₂掺杂体系电子结构及光学性质解析.docx

基于第一性原理的AlN与TiO?掺杂体系电子结构及光学性质解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，AlN和TiO?作为两种重要的化合物，凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，一直是研究的热点。AlN是一种具有六方纤锌矿结构的化合物半导体，其氮原子与铝原子通过共价键紧密相连，形成稳定的晶体结构。这种结构赋予了AlN诸多优异特性，如高达6.2eV的宽禁带，使其在高温、高频及强辐射等极端环境下仍能保持稳定的电学性能；同时，AlN具有较高的热导率，能够有效地传导热量，这一特性使其在电子器件散热领域具有重要应用价值；此外，AlN还具备良好的化学稳定性，不易受到化学物质的