CN119653819A 一种宽安全工作区的半导体功率器件及其制备方法 （上海维安半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119653819A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411831869.0

(22)申请日2024.12.12

(71)申请人上海维安半导体有限公司

地址201202上海市浦东新区祝桥镇施湾

七路1001号2幢

(72)发明人张雨陈凯华刘厚超张世翀

俱帅马一洁

(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272

专利代理师党蕾

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D30/01(2025.01)