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探秘锰氧化物薄膜：He掺杂引发的结构与性能变革

一、引言

1.1研究背景与意义

锰氧化物薄膜作为一类重要的功能材料，在凝聚态物理和材料科学领域中占据着举足轻重的地位。其具有独特的晶体结构和电子结构，展现出丰富多样的物理性质，如庞磁电阻（CMR）效应、电荷有序、轨道有序以及磁有序等。这些特性使得锰氧化物薄膜在磁存储、传感器、自旋电子学等众多领域展现出巨大的应用潜力。例如，利用其庞磁电阻效应，可大幅提高磁存储设备的存储密度和读写速度；在传感器领域，能够对磁场、温度等物理量进行高灵敏度的探测。

在众多调控锰氧化物薄膜性能的手段中，掺杂是一种极为有效的方法。通过引入不同的杂质原子，可以显著改变锰氧