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引线键合的狭窄弯月形三维电沉积直写技术

引线键合的狭窄弯月形三维电沉积直写技术电子工业中对减小

元器件的尺寸得了持续的进展，使得一些微米级的引线键合须要用

引线干脆将集成的芯片与电路板相连。

我们发展了一种方法，利用微纳米级的液体弯月形型的热力学稳

定性去创建之前设计好的纯铜和伯的三维立体结构。

我们将演示一种自动化的引线键合过程，它可以使连引线直径径

小到1微米，键合点尺寸小于3微米，拥有每平方米十的十一次方

安培的击穿电流。

这项技术被用来制造高密度高质量的产品的连接和困难的三维

微尺度甚至纳米尺度的金属结构的连接问题。

作为集成芯片制造的重要组成部分，互联为那些须要回路去传导

信号的电器设备供应了路径。

随着电子芯片的设计密度渐渐增加，导致连接线的密度和设计的

困难程度成指数增长。

随着3D芯片结构的引入，芯片之间形成3d堆叠的想法出现，

于是须要一种敏捷的可以键合3D微纳米尺度的引线键合技术。

传统的引线键合技术已经为电子工业服务了好多年，封装设计须

要更令人满足的互联技术。

最近到倒装芯片互联技术被引进