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《耐高温集成电路第2部分：设计要求》标准立项修订与发展报告

耐高温集成电路第2部分：设计要求

EnglishTitle:High-temperatureIntegratedCircuitsPart2:DesignRequirements

摘要

随着深地资源勘探、开发及地球深部科学探测等国家重大战略需求的日益迫切，电子设备在深地工程环境下的可靠运行成为关键技术瓶颈。深地环境具有高温（150℃-250℃甚至更高）、高压、高湿、强腐蚀及振动冲击等极端特征，对集成电路的耐高温性能提出了严苛要求。为规范耐高温集成电路的设计流程，提升其可靠性与环境适应性，特制定本标准。本标准《耐高温集成电路第2部分：设计要求》由全国集成电路标准化技术委员会（TC599）归口，主管部门为工业和信息化部（电子），主要起草单位包括中国科学院微电子研究所、中国电子技术标准化研究院及中国科学院地质与地球物理研究所。标准项目周期为12个月，计划于2026年启动制定。本标准系统规定了深地工程用耐高温集成电路的设计要求，涵盖术语定义、设计原则、通用要求及详细设计内容，包括电路设计、版图设计、封装设计、可靠性设计等。特别针对深地环境特点，从材料选择、晶体管选择、温度补偿偏置电路设计、防电迁移失效等多个维度提出了具体设计规范。本标准的制定将填补我国在耐高温集成电路设计领域的标准空白，为深地工程及相关高温应用