《氧化镓外延层载流子浓度的测试 电容-电压法》标准立项修订与发展报告.docx

《氧化镓外延层载流子浓度的测试电容-电压法》标准立项修订与发展报告

氧化镓外延层载流子浓度的测试电容-电压法

EnglishTitle:TestMethodforCarrierConcentrationofGalliumOxideEpitaxialLayers—Capacitance-VoltageMethod

摘要

随着宽禁带半导体技术的快速发展，氧化镓（Ga?O?）因其超宽禁带宽度（约4.8eV）、高击穿场强（约8MV/cm）以及优异的材料稳定性，成为下一代功率电子器件的理想候选材料。然而，氧化镓外延层的载流子浓度作为决定器件性能的关键参数，其精确测试方