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- 2026-07-07 发布于四川
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东芝场效应晶体管硅N通道MOS型(高速U−MOS)
TPC8005−H
高速和高效率直流−直流转换器锂离子电池应用便
携设备应用笔记本电脑应用单位:mm
⚫由于封装小而薄,占地面积小
⚫高速切换:速度提升60%(与现有类型相比)
⚫小栅极电荷:Qg=20nC(典型值)
⚫低漏极−源导通电阻:RDS(ON)=13mΩ(典型值)
⚫高前向传输电导:|Yfs|=16S(典型值)
⚫低漏电流:IDSS=10μA(最大值)(VDS=30V)
=1=10=1
⚫增强−模式:Vth.3~2.5V(VDSV,IDmA)
最大额定值(Ta=25°C)
特性符号Unit
漏源电压VDSS30V
漏栅电压(RGS20kΩ)
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