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碳化硅功率器件在极端温度循环下的键合线互连退化机理与可靠性提升设计

摘要

随着新能源汽车与智能电网技术的飞速发展，功率器件的工作环境日益严苛，特别是在极端温度循环工况下，器件的可靠性面临着巨大挑战。碳化硅作为第三代半导体材料的代表，凭借其高击穿场强、高热导率及优异的高温稳定性，已成为高温、高频、高效电力电子系统的首选器件。然而，传统的键合线互连技术在面对SiC芯片高功率密度产生的剧烈热应力时，往往表现出热应力疲劳与电迁移退化，导致器件失效，严重制约了SiC器件的性能发挥与应用寿命。

本课题针对SiC器件在极端工况下的热失控与互连失效问题，深入分析了键合线热应力疲劳与电迁移退化机理，并据此设计了双面散热结构与铝带互连优化拓扑方案。论文首先通过理论推导与有限元仿真，揭示了热膨胀系数失配导致的热应力集中是键合线根部裂纹萌生的主要原因，同时阐明了高温大电流密度下的电迁移现象加速了互连界面的空洞化过程。基于此，提出了采用铝带键合替代传统铝丝键合的优化设计，并结合双面散热结构以降低芯片结温。

研究过程中，利用ANSYS有限元分析软件构建了SiC功率模块的多物理场耦合模型，对比分析了传统引线键合与铝带键合在极端温度循环下的应力分布与形变情况。设计结果表明，优化后的铝带互连结构有效降低了接触面的电流密度峰值，缓解了热应力集中现象，配合双面散热设计，芯片最高结温降低了约15%，键合