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- 2026-07-06 发布于北京
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半导体单晶材料性能的评价;1、定向:
光学定向法;X光定向法
2、缺陷:
金相观察法(与半导体专业基础实验相同)
扫描电子显微镜(SEM)
透射电子显微镜(TEM)
原子力显微镜(AFM)
X射线形貌技术
;3、组分分析;三探针法(击穿电压法);;非接触法;;;;2、导电类型;导电类型的测量;;;XRD、XPS、SEM等现代测试技术简介;电子和物质的相互作用;背散射电子:被固体样品中的原子核反弹回来的一部分入射电子;
二次电子:被入射电子轰击出来的核外电子;
吸收电子:进入样品的入射电子,经多次非弹性散射,能量损失殆尽,被样品吸收的电子。
透射电子;
特征X射线:原子的内层电子受到激发后,在能级跃迁过程中直接释放的具有特征能量和波长的电磁辐射;
俄歇电子:原子内层电子跃迁过程中释放的能量,不以X射线的形式释放,而是使用该能量将核外另一电子打出成二次电子,该二次电子称为俄歇电子。;光学显微镜的分辨率:
光学显微镜的最大分辨率:0.2μm;人眼的分辨本领是大约0.2mm;故光学显微镜的放大倍数一般最高在1000~1500倍。
欲提高分辨率,只有降低光源的波长。
;扫描电子显微术;透射电子显微术;电子能谱技术;XRD(X-rayDiffraction);30kV高压加速的电子与物质碰撞时产生的射线
;X射线在晶体中的衍射;XRD技术的应用;X射线衍射技术;晶面间距(d)公式:;
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