CN119835978B 一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅vdmos及制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119835978B

(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202510308325.4

(22)申请日2025.03.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119835978A

(43)申请公布日2025.04.15

(73)专利权人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人何佳陈彤周海胡臻

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/83(2025.01)

(56)对比文件

CN118658883A,2024.09.17

CN118762998A,2024.10.11审查员刘宁

权利要求书2页说明书5页附图10页

(54)发明名称

一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备

方法

(57)摘要

CN119835978B本发明提供了一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；