CN119836000A 一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其制备方法 （南京大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836000A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510309182.9

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人南京大学

地址210023江苏省南京市栖霞区仙林大

道163号

(72)发明人叶建东杨晔芸任芳芳顾书林张荣

(74)专利代理机构北京融智邦达知识产权代理事务所(普通合伙)11885

专利代理师冷欢

(51)Int.Cl.

H10D84/85(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

权利要求书3页说明书7页附图7页

(54)发明名称

一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其

制备方法

(57)摘要

CN119836000A本发明公开了一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其制备方法。包括从下至上依次设置的半绝缘β_Ga2O3衬底，非故意掺杂β_Ga2O3漂移层，?_(AlxGa1_x)2O3层，?_Ga2O3层，非故意掺杂β_Ga2O3漂移层、?_Ga2O3层和?_(AlxGa1_x)2O3层的中部设置有隔离沟槽，隔离沟槽将?_(AlxGa1_x)2O3层上表面区域分为耗尽型器件区和增强型器件区；耗尽型器件区包括耗尽型漏极金属层、耗尽型栅极金属层