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磁控溅射气体使用规范

磁控溅射气体使用规范

一、气体选型、纯度要求与储存管理规范

（1）工作气体与反应气体的基本选型原则。磁控溅射工艺中最核心的工作气体为高纯氩气（Ar），其作用是被电场电离形成氩离子，在电场加速下轰击靶材表面使靶原子被溅射出来沉积到基片上，氩气本身不参与化学反应，适用于所有金属膜、合金膜及作为反应溅射的载体气体。反应溅射中常用的反应气体包括氧气（O?）用于制备氧化物薄膜如ITO、SiO?、TiO?、Al?O?等，氮气（N?）用于制备氮化物薄膜如TiN、CrN、Si?N?等，氢气（H?）少量用于还原性气氛或DLC膜沉积中的辅助调节，甲烷（CH?）或乙炔（C?H?）用于制备碳基