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ReRAM存算阵列读写外围电路设计与非理想特性补偿算法

摘要

随着人工智能与边缘计算的快速发展，传统冯·诺依曼架构面临“内存墙”瓶颈，存算一体技术通过融合存储与计算单元显著降低数据搬运能耗。本设计针对ReRAM存算阵列的非理想特性问题，提出高精度读写外围电路与在线补偿算法方案。核心目标为设计低噪声SenseAmplifier与高稳定性WriteDriver，开发导电丝变异建模方法及动态校准算法，确保8bit量化矩阵乘法精度95%。

全文遵循工程递进逻辑：第一章分析ReRAM在存算场景中的导电丝漂移与读写干扰痛点；第二章论证关键技术选型依据；第三章量化精度、功耗等非功能需求；第四章构建阵列-外围电路协同架构；第五章详述SenseAmp动态偏置设计与WriteDriver电流镜优化；第六章实现基于Python的变异建模与FPGA校准算法；第七章通过蒙特卡洛仿真验证精度达标。

创新点在于提出双阈值SenseAmp结构抑制读噪声，并设计轻量级在线校准算法补偿导电丝随机变异。测试表明，该方案在8bit精度下矩阵乘法误差降低42%，为存算一体芯片实用化提供可行路径。全文共8章，聚焦工程实现细节，满足本科设计性论文完整性要求。

第一章绪论

1.1研究背景

人工智能模型参数量激增，传统架构中数据在处理器与内存间频繁搬运导致能耗占比超60%。存算一体技术通过将计算嵌入