磁控溅射法制备ZnO薄膜及其结构、光电特性研究.docx

磁控溅射法制备ZnO薄膜及其结构、光电特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料不断演进的历程中，ZnO薄膜作为新型半导体材料的杰出代表，正逐渐崭露头角，其独特的物理性质与广泛的应用前景，吸引了全球科研人员的目光，成为材料科学领域的研究焦点之一。ZnO作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度可达3.37eV，自由激子束缚能更是高达60meV，远超室温热离化能（26meV）。与SiC、GaN等宽带隙材料相比，ZnO具备资源丰富、价格亲民、化学稳定性卓越、热稳定性良好以及抗辐照损伤能力强等一系列优势，这些特性使其在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。

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