CN119650428A 降低low-K氧化硅材料的K值的方法 （拓荆科技(上海)有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650428A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411816549.8C23C16/52(2006.01)

(22)申请日2024.12.10

(71)申请人拓荆科技（上海）有限公司

地址201306上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区鸿音路

1211号10幢304室

(72)发明人袁德林付梦雨杨文惠张玉婷

贾凌云刘英明

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

司31100

专利代理师辛元石

(51)Int.Cl.

H01L21/3115(200