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N沟道增强型MOSFET：低导通电阻与高雪崩能量强度.pdfVIP

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  • 2026-07-10 发布于北京
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N沟道增强型MOSFET：低导通电阻与高雪崩能量强度.pdf

    2013年3月

    Š

    1‑通道QFETMOSFET10V,11$

    160P

    描述特性

    此N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild•.一个09R的6RQ60Pȍ0D[.#9*609，.一个

    Semiconductor®的专有平面条纹和DMOS技术制造。•低栅极电荷（典型值nC）

    这种先进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，•低Crss（典型值0pF）

    并卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件•100100%雪崩测试

    适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和•ƒC0D[L

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