基于围栅的高集成单器件反相器设计与应用.pdfVIP

基于围栅结构的高集成单器件反相器的研究

摘要

随着集成电路工艺节点持续微缩至纳米尺度，传统平面

改善开关特性工作原理该单器件反相器的工作原理依赖于栅极间的静电势耦合效应以及对沟道导电类型的调制关态逻辑输出当输入电压为低电平例如时输入栅下方的沟道区域无法形成反型层导电通道中断此时尽管控制栅施加了固定偏压但整个源漏通路仍处于高阻态输出电压

MOSFET面临短沟道效应加剧、静态功耗攀升等严峻挑战。

围栅结构晶体管，以其优异的沟道静电控制能力，成为延

续摩尔定律的主流技术路径。然而，基于多器件组合的传

统CMOS反相器架构占用面积大，制约了集成度的进一步

提升。基于围栅结构的高集成单器件反相器，旨在将反相

器的功能集成于单个晶体管之内，有望突破传统架构的集

成度瓶颈。本文系统研究了一种基于围栅结构的单器件反

相器。该器件利用独立的双栅或三栅结构，通过静电势耦

合效应，在单一有源区内实现逻辑“非”功能。文章详细

阐述了器件的结构设计、工作原理与制备流程。通过

SentaurusTCAD工具进行三维数值仿真，系统分析了关

上通过优化其电压增益噪容限和开关速度可以接近甚至达到同技术节点下传统反相器的水平其挑战可能在于对工艺控制如栅极对准硅膜均匀性要求更