面向6G的硅基光电子收发集成芯片与高速调制解调驱动电路设计.docxVIP

PAGE2

面向6G的硅基光电子收发集成芯片与高速调制解调驱动电路设计

摘要

随着6G通信技术的快速发展，传统电互连面临带宽瓶颈与能耗挑战。本设计聚焦硅基光电子收发集成芯片，旨在实现单通道400Gbps高速传输。通过构建硅基马赫曾德尔调制器（MZM）与光电探测器（PD）的精确模型，开发低噪声高速差分驱动电路及宽带跨阻放大器（TIA），突破400Gbps传输的工程化难题。

第一章分析6G骨干网对光互连的迫切需求，指出当前商用芯片在带宽与集成度上的不足。第二章论证硅基光电子平台的技术优势，选定CMOS兼容工艺与InP异质集成方案。第三章明确400Gbps传输的核心指标，包括误码率10?12、功耗5pJ/bit等量化需求。第四章提出收发双路集成架构，划分调制、探测、驱动三大功能模块。第五章详细设计MZM相位调制模型与TIA负反馈结构，给出关键算法流程。第六章实现芯片版图布局，解决高速信号完整性问题。第七章通过眼图测试验证400Gbps性能。

创新点在于融合载流子耗尽型MZM与锗硅PD的单片集成，结合预加重驱动技术，在1.3μm波长实现32GHz带宽。本设计为6G前传网络提供低功耗、高集成度的光互连解决方案，推动硅光芯片国产化进程。全文遵循“需求→设计→实现→验证”工程逻辑，字数约15,000字。

第一章绪论

1.1研究背景

6G通信将支持1Tbps级峰值速率，传统铜缆互连受限于