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面向6G毫米波与亚太赫兹频段的GaN-on-SiC毫米波MMIC功率放大器技术趋势预测报告

摘要

本报告聚焦于氮化镓-碳化硅基（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）功率放大器（PA）在第六代移动通信（6G）毫米波与亚太赫兹频段的技术发展趋势，预测周期为2025年至2035年。核心判断是，随着6G演进至100GHz以上的亚太赫兹频段，传统半导体材料在效率与功率密度上的局限性将日益凸显。

GaN-on-SiC凭借其宽禁带物理特性带来的高功率密度与高电子迁移率晶体管（HEMT）结构赋予的卓越效率，将成为支撑6G基站与卫星通信终端射频前端的不可替代的核心器件。报告预测