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高速CMOS静态RAM手册：IS61WV系列.pdfVIP

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  • 2026-07-12 发布于北京
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高速CMOS静态RAM手册：IS61WV系列.pdf

    IS61WV102416ALL

    ®

    IS61WV102416BLLISSI

    IS64WV102416BLL

    1Mx16高速异步

    2006

    3.3V供电的CMOS静态RAM四月

    特性描述

    •高速时间：8、10、ISSIIS61WV102416ALL/BLL和IS64WV102416BLL

    20纳秒是高速的16M位静态RAM，组织为1024K字×16位。

    •高性能、低功耗的CMOS工艺它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的

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