CN119815853A 基于高k栅介质与IGTO结构的薄膜晶体管的后退火优化方法 （北京理工大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815853A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411806493.8H10D62/80(2025.01)

(22)申请日2024.12.09

(71)申请人北京理工大学

地址100000北京市海淀区中关村南大街5

号

(72)发明人马远骁郑雨杭王业亮

(74)专利代理机构深圳尚业知识产权代理事务

所(普通合伙)44503

专利代理师文蓉

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H01L21/477(2006.01)

H10D30/67(2025.01)