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基于GaN工艺的高效率射频功放系统设计与Doherty架构优化

摘要

随着第五代移动通信技术向高频段、大带宽演进，射频功率放大器作为发射链路的核心部件，其效率与线性度之间的矛盾日益突出。高峰均比的调制信号要求功放在远低于饱和功率的回退区间内仍能保持较高效率，而传统放大器在此区间效率急剧恶化。本课题以氮化镓高电子迁移率晶体管工艺为基础，设计一款工作于3.5GHz频段的高效率射频功放系统，并重点优化Doherty架构以提升回退效率。

论文遵循“需求分析—总体设计—详细设计—实现—测试”的工程递进思路展开。第一章分析通信系统对高效率功放的现实需求；第二章论证GaN器件特性与Doherty架构的适用性，对比不同技术路线的优劣；第三章将系统指标量化为可验证的设计参数，明确功率、效率、线性度等具体目标；第四章完成系统顶层架构设计，划分主放大器、辅助放大器、功率分配网络与输出匹配网络四大功能模块；第五章深入阐述非对称Doherty架构的负载调制机制，给出各模块详细的电路设计与参数计算；第六章基于GaNHEMT器件完成电路板级实现，展示关键调试过程；第七章通过连续波与调制信号测试验证系统性能。实测结果表明，本设计在饱和输出功率42dBm时功率附加效率达65%，6dB回退点效率仍保持在52%以上，较传统对称Doherty方案提升约8个百分点。本课题的核心创新在于采用非对称功率比配