2025年电子信息工程专业基础综合考试(模拟集成电路设计基础)考核试卷.docVIP

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  • 2026-07-17 发布于天津
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2025年电子信息工程专业基础综合考试(模拟集成电路设计基础)考核试卷.doc

2025年电子信息工程专业基础综合考试(模拟集成电路设计基础)考核试卷

一、单项选择题(每题1分,共30题)

1.在CMOS电路中,增强型NMOS管的开启电压Vth通常为正值。

2.以下哪项不是数字集成电路设计的常用单元电路?

A.反相器

B.与非门

C.运算放大器

D.触发器

3.MOSFET的跨导gm与哪个参数成正比?

A.长沟道效应

B.短沟道效应

C.温度

D.栅极电压

4.CMOS电路的低功耗设计主要通过以下哪种方式实现?

A.增加晶体管尺寸

B.降低工作电压

C.增加工作频率

D.减少电路复杂度

5.在集成电路设计中,版图布局的主要目的是?

A.提高电路性能

B.降低成本

C.方便

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