新能源汽车SiC电驱系统降本路线图：衬底切割减薄、外延缺陷控制与芯片设计优化.docxVIP

PAGE2

新能源汽车SiC电驱系统降本路线图：衬底切割减薄、外延缺陷控制与芯片设计优化

摘要

本报告聚焦新能源汽车碳化硅（SiC）电驱系统全产业链的降本路径，系统梳理了从上游衬底制备、中游外延生长到下游芯片设计优化的全链路技术演进与成本控制策略。

研究发现，SiC电驱系统正处于从高端车型向中端市场渗透的关键成本拐点。衬底环节作为成本占比最高的部分（约40%-45%），其降本核心在于激光切片与超薄化加工技术的突破，预计2026年可贡献系统总成本下降约12%-15%。

外延环节的缺陷密度控制是提升良率、降低单位成本的关键，通过高温生长工艺优化与缺陷修复技术，预计2026年可贡献系统总成本下降约8%-10%。芯片设计优化则从器件结构、版图布局与功率密度提升三个维度发力，预计2026年可贡献系统总成本下降约10%-13%。

综合量化分析表明，三大技术路径的协同推进，有望在2026年将SiC电驱系统的综合成本再降低30%以上，使SiC主驱逆变器单千瓦成本逼近30美元的关键阈值，加速SiC技术在中端电动车市场的规模化渗透。

报告分析了产业链各环节的价值分布、竞争格局与需求演变，并对未来市场规模、技术演进方向与投资机会进行了前瞻性判断，为产业决策者与投资者提供系统性参考。

第一章行业概况与研究框架

1.1行业定义与分类

本报告所研究的碳化硅（SiC）电驱系统，是指以SiC功率器件为核