半导体行业术语.docxVIP

半导体行业术语

半导体行业是信息技术的基石，其专业术语构成了理解从材料到系统整个产业链的关键语言体系。掌握这些术语，对于深入技术本质、把握行业动态至关重要。

在材料与基底领域，硅片作为最主流的衬底材料，其规格常以直径表示，如8英寸（200mm）、12英寸（300mm）。晶向是指晶体内部原子排列的方向，常用（100）、（111）等密勒指数标识，它直接影响器件的电学性能。外延生长是在单晶衬底上生长一层新单晶薄膜的工艺，这层薄膜称为外延层，它能提供比衬底更优的电学特性或不同的材料性质，如硅上外延生长锗硅。绝缘体上硅是一种特殊的衬底技术，通过在硅衬底和顶层硅之间嵌入一层绝缘层（通常是二氧化硅），能显著减少寄生电容，提升器件速度并降低功耗。化合物半导体指由两种或以上元素构成的半导体材料，如砷化镓、氮化镓和碳化硅，它们在高速、高频、高功率及光电子领域具有硅无法比拟的优势。

芯片制造的核心是前道工艺，这是一个极其复杂的微观构建过程。光刻是将电路图形从掩膜版转移到硅片上的关键步骤。光刻机利用特定波长的光源，通过复杂的光学系统将掩膜版上的图形缩小并投影到涂有光刻胶的硅片表面。随着特征尺寸缩小，极紫外光刻采用波长仅为13.5纳米的极紫外光，是目前实现7纳米及以下工艺节点的核心技术。刻蚀紧随光刻之后，其作用是将光刻定义的图形真正地转移到硅片表面的材料层上。主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀利用等离子体